技术简介： 基于非自对准CMOS工艺的MOSFET结构的太赫兹探测器，p型衬底209上两个n型掺杂区分别为源极区和漏极区，源极区和漏极区的中央上面为SiO2层，重掺杂多晶硅区为栅极，SiO2层置于栅极与衬底之间，MOS…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种多栅极神经元晶体管，该晶体管包括源漏电极、沟道、栅介质、浮栅电极和多个输入栅极，以及输入栅极与栅介质之间的电容记忆层。其中，各输入栅极通过电容记忆层与栅介质电容共同…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种纳米材料透射电镜原位光电测试芯片、芯片制备方法及其应用，属于纳米材料性能原位测试技术领域。本发明的芯片包括硅基片、绝缘层、金属电极、薄膜窗口和发光二极管，在硅基片两…… 查看详细 >
技术简介： 一种基于光学天线的太赫兹探测器，包括多晶硅材料层制成的光学天线、晶体管或场效应管；光学天线分别置于晶体管的源极和漏极两端，天线边缘距离晶体管栅极边缘间距为100～500nm，光学天线与晶体…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种新型贴片式忆容器，包括自下至上依次设置的硅衬底、第一金属薄膜、第一氧化物薄膜、第二氧化物薄膜和第二金属薄膜，其中，所述第一金属包括Au、Cu、Pt、Ag、Co中的一种，所述第…… 查看详细 >
技术简介： 一种可变浅结作为源漏区的浮栅结构快闪存储器，在基底P型半导体材料上方的两侧设有重掺杂N型半导体区域分别构成源极、漏极，基底中央区域的正上方依次设有底部遂穿层、浮栅存储层和顶部阻挡层，…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了基于氧掺杂碲化锌纳米线阵列的太阳电池，自上而下依次为：包裹了氧化锌/氧掺杂碲化锌/碲化锌三层同轴包覆的纳米线阵列顶端的n型AZO透明导电薄膜、氧化锌/氧掺杂碲化锌/碲化锌三层同…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种带相位光栅的超导单光子探测器及其制备方法。该带相位光栅的超导单光子探测器在常规基于基于氮化铌的超导单光子探测器的纳米线区上设置有相位光栅。相位光栅的栅高为入射光波长…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种AlGaN日盲紫外增强型雪崩光电探测器，其结构从下至上依次包括一维光子晶体层、AlN/蓝宝石模板层、i型AlxGa1‑xN层、n型AlxGa1‑xN层、i型Aly1Ga1‑y1N层、n型AlyGa1‑yN组分渐…… 查看详细 >
技术简介： 一种纳米材料电子与光电子器件，器件的结构包括衬底、下电极、纳米材料、绝缘介电层和上电极五个部分，所述的绝缘介电层选择金属氧化技术获得绝缘介电层，上下电极与纳米材料形成良好的电学接触…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种超导纳米线单光子探测器，由N个串联的超导纳米线单元、N个不同阻值的并联电阻和光学谐振腔组成，所述N个不同阻值的电阻分别并联在N个超导纳米线单元的两端，所述光学谐振腔覆盖…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了基于蝶形等离激元增强天线的纳米线中间带太阳能电池结构，二氧化硅或石英衬底上为平躺的氧掺杂碲化锌/氧化锌核壳结构纳米线，氧化锌在外层，氧掺杂碲化锌/氧化锌核壳结构的纳米线长…… 查看详细 >