技术简介： 摘要：本发明公开了一种基于多孔钴酸锶镧基底担载银纳米颗粒的超级电容器，包括引线、电荷收集器、正极材料、隔膜和负极材料；正极材料和负极材料中至少有一个为多孔钴酸锶镧基底担载银纳米颗粒…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本实用新型提供交流侧级联H桥的混合模块组合多电平变换器，其每相电路由上桥臂、下桥臂、交流侧桥臂、第一电容和第二电容组成；所述上桥臂和下桥臂的电路结构完全一致。上桥臂与下桥臂均…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本实用新型公开了改善单相维也纳整流器中点电压不平衡的整流电路，包括第一LC可控电路、第二LC可控电路、采样电路、辅助电源模块、单片机控制模块和驱动模块；采样电路采集单相维也纳整流…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本实用新型提供一种采用抽头电感和开关电感的准Z源变换器，包括直流输入电源、匝比为1:n的变压器（T）、第一二极管（D1）、第二二极管（D2）、第三二极管（D3）、第一电容（C1）、第二电…… 查看详细 >
技术简介： 本实用新型公开了新型傻瓜式螺丝刀，包括螺丝刀杆、螺丝刀柄；螺丝刀杆一端设有螺丝刀头，螺丝刀杆另一端沿螺丝刀柄的延伸方向伸入螺丝刀柄内部并与螺丝刀柄通过转动轴承连接，螺丝刀杆在伸入螺…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明提供了一种有机材料阻变存储元件及其制备方法。该存储元件的结构包括由下至上依次排布的下电极层、阻变介质层和上电极层；下电极层为ITO层，阻变介质层为CH3NH3PbI3−xCl3层，上电…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种阻变存储元件，其异质结构层形式为Ag/a-IGZO/Pt或Ag/a-IGZO/Au，其中的a-IGZO层为非晶的IGZO阻变存储层，所述a-IGZO层中In、Ga、Zn原子的摩尔比为1∶1∶1。本发明还公开…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明提供了一种双电荷注入俘获存储器及其制备方法。所述双电荷注入俘获存储器的结构由下至上依次是Pt衬底、Zr0.5Hf0.5O2膜层、Ba0.6Sr0.4TiO3膜层和电极膜层；在所述Zr0.5Hf0.5O2膜层和…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明提供一种斜切砷化镓单晶光、热探测器，依次由导热胶粘结的斜切砷化镓单晶薄片，金属铜热沉和金属支架组成，在斜切砷化镓单晶薄片上表面设置两个对称的金属电极作为电压信号输出端，…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种c轴取向铋铜硒氧基氧化物热电薄膜，c轴取向铋铜硒氧基氧化物热电薄膜的化学式为Bi1‑xAxCuSeO，其中A代表Mg、Ca、Sr、Ba、Pb、Ag、Na，0≤x≤0.2，所述的c轴取向铋铜硒氧…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明提供了一种刻蚀铜锌锡硫薄膜表面二次相的方法。该方法使浓盐酸（质量分数为37.5%）与去离子水按预定体积比进行混合以对浓盐酸进行稀释，稀释后的盐酸溶液置于恒温的水浴锅中，将待…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明提供了一种电荷俘获存储器及其制备方法。所述电荷俘获存储器的结构由下至上依次是p‑Si衬底、SiO2隧穿层、Zr0.5Hf0.5O2膜层和电极膜层；所述电极膜层为Au或Pt电极膜层；所述Zr0.5Hf…… 查看详细 >