技术简介： 一种场发射阴极的制造方法，所述方法包括提供导电基板；在所述导电基板上涂覆石墨烯纳米片；在所述石墨烯纳米片表面沉积六方氮化硼纳米片。通过在导电基板上涂覆石墨烯纳米片，在所述石墨烯纳米…… 查看详细 >
技术简介： 本发明提供了一种碳纳米管阴极的制备方法，以及通过该方法得到碳纳米管阴极。所述制备方法包括在导电基板上电泳沉积粘结剂层；在沉积粘结剂层的导电基板上电泳沉积碳纳米管薄膜；在真空或保护气…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种碳纳米管场发射阴极及其制备方法。该碳纳米管场发射阴极包括导电基板和依次层叠于所述导电基板上的石墨烯层和碳纳米管层。石墨烯的理论比表面积高达2600m2/g，其独特的二维结构能…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种可用于存储单元的多层量子点结构浮置栅，包括一下部缓冲层，及在其上依次生长的第一量子点生长层、第一填充介质层、中间层、第二量子点生长层、第二填充介质层和顶部填埋保护层；…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明涉及光伏技术领域，提供一种场效应有机太阳能电池的制备方法，其包括步骤一：在衬底上分别刻蚀阳电极、阴电极、以及独立于所述阳电极、阴电极的门电极，所述门电极与所述衬底至少一…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本申请公开了一种钙钛矿薄膜的制作方法，包括步骤：s1、在第一基底上形成第一膜层，所述第一膜层的材质选自卤化铅、卤化锡中的一种或多种的混合物；s2、在第二基底上形成第二膜层，所述第…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种有机单晶薄膜晶体管，包括在基底上逐层形成的栅电极、绝缘层；间隔形成于绝缘层表面的源电极、漏电极；形成于绝缘层表面的修饰层及形成于修饰层表面且在源电极、漏电极之…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种纳流控二极管，其包括纳米管道，所述纳米管道的管壁至少部分是由PDMS材料形成，所述PDMS材料的两端不对称的修饰有带电基团。本发明还提供了该纳流控二极管的制备方法，其…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本实用新型公开了一种新型透明基板LED封装结构，包括透明基板及一个以上LED芯片，所述透明基板的第一面上分布有一个以上透明平台状凸起部，每一凸起部上端面均直接安装有一LED芯片，其中…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明提供一种LED集成封装结构，包括基板、设置在所述基板上表面的封装胶槽、以及设置于所述封装胶槽上的微结构层；其中，所述封装胶槽上开设有包括多个固晶槽的固晶槽阵列，每一个所述…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种LED芯片及其应用。该LED芯片包括衬底及分布于衬底表面的外延层，所述LED芯片的长边和宽边中任一者的尺寸均大于177.8µm。当所述LED芯片为长方形芯片时，其长边与宽边的长…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本实用新型公开了一种半导体发光器件，包括透明基材以及安装于所述透明基材上的复数半导体发光芯片，该复数半导体发光芯片之间通过形成于所述透明基材上的导电体串联和/或并联，并且至少…… 查看详细 >