技术简介： 摘要：本发明提供一种蓝宝石衬底纳米孔制备方法，包括以下步骤在蓝宝石衬底表面形成一层单晶薄膜；在所述单晶薄膜上旋涂一层光刻胶；通过光刻机对光刻胶进行曝光；对曝光后的光刻胶进行显影形成…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种GaInP/GaAs双结太阳能电池的制备方法，包括：A、在衬底上生长第一过渡层GaP；B、在第一过渡层GaP上生长第二过渡层Ga1-xInxP；C、在第二过渡层Ga1-xInxP上生长GaAs底电池…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种具有倾斜量子垒结构的氮化镓半导体发光二极管及其制法。该发光二极管包括依次层叠的N型氮化镓层、多量子阱结构层和P型氮化镓层，所述多量子阱结构层包含交替层叠的复数铟…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种薄膜晶体管及其制备方法。该晶体管采用顶栅底接触式结构，包括有源层、源电极、漏电极、绝缘层和栅电极，其中绝缘层与有源层之间还设有界面修饰层；该晶体管的制备方法包…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本申请公开了一种减反膜、光电子器件及其制作方法。本发明在III-V电池或薄膜电池的表面设计制备大周期的微纳结构，实现入射光在介质微纳结构中以高阶衍射形式进入介质材料，并进一步满足…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件及其制作方法。该器件包括源、漏、栅电极以及异质结构，源、漏电极通过形成于异质结构中的二维电子气电连接，异质结构包括第一、第二半导体，第…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：一种双栅四端III族氮化物增强型HEMT器件的封装结构，包括基座以及，安装在基座上的HEMT器件，该器件包括异质结构以及通过异质结构中的二维电子气形成电连接的源、漏极，该异质结构包括：…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明涉及一种随机噪声源，其包括半导体超晶格器件以及封装体。其中，半导体超晶格器件由采用InP衬底上的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As材料体系、InP衬底上的InAs/In0.53Ga0.47As/AlAs…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：一种新型双栅三端Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件，包括源、漏极以及异质结构，源、漏极通过异质结构中的二维电子气形成电连接，其中异质结构包括：设置于源、漏极之间的第一半导体；形成于第一…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种X射线探测器及其制作方法。所述探测器为垂直型结构，包括自支撑氮化镓衬底，该自支撑氮化镓衬底的镓面和氮极性面分别形成有电极结构，位于镓面的所述电极结构的边缘形成…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本实用新型公开了一种LED发光器件，其包括相对设置的第一透明基板和第二透明基板，所述第一透明基板和第二透明基板之间安装有一个以上LED芯片，该一个以上LED芯片的电极与导电电路电性连…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本实用新型公开了一种基于透明基板的半导体发光器件封装结构，包括：透明基板，安装于该透明基板的第一面上的至少一半导体发光芯片，以及，安装在该透明基板上的、主要由导热材料组成的反…… 查看详细 >