技术简介： 一种低温生长变组分镓砷锑薄膜的液相外延方法提供一种低温生长变组分镓砷锑薄膜的液相外延技术,解决了液相外延技术无法低温制备变组分GaAs1-xSbx薄膜材料的难题。薄膜生长温度低于550℃,变组分…… 查看详细 >
基于管状堆砌单晶TiO2纳米薄膜电子传输层的钙钛矿太阳能电池构筑及其界面调控
技术简介： 本项目拟采用一种管状堆砌高活性单晶TiO2纳米薄膜作为介观钙钛矿太阳能电池的电子传输层材料,并采用原子层沉积（ALD）的方法,在该TiO2电子传输层与钙钛矿光吸收层材料间沉积金属氧化物薄膜对界…… 查看详细 >
技术简介： 一种逐元暗电流抑制的CMOS红外探测器读出电路,读出电路包括输入电路、积分电路、输出电路三部分。输入电路采用电流存储单元和电流镜相结合的结构。其中,电流存储单元分布在线列电路每个象元中,…… 查看详细 >
技术简介： ①课题来源与背景本项目焊接工艺在现代制造业中有着举足轻重的地位,而焊接时会产生大量的有害烟尘,不但污染工作环境,而且长期在充满这种粉尘的环境下工作,会危害工人的身心健康。目前常用的除尘…… 查看详细 >
技术简介： ①课题来源与背景固态电容极性标识移印装置用来将极性标识印刷在固态电容上,固态电容全称为,固态铝质电解电容。它与普通电容（即液态铝质电解电容）最大差别在于采用了不同的介电材料,液态铝电…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种槽栅型栅-漏复合场板高电子迁移率晶体管,该器件自下而上包括衬底（1）、过渡层（2）、势垒层（3）、源极（4）、漏极（5）、槽栅（7）、钝化层（8）、栅场板（9）、漏场板（11）…… 查看详细 >
技术简介： 一种空间正置可展开屏蔽面装置,包括：折叠式环杆、折叠式肋杆和连接关节,所述的连接关节包括环杆连接关节、肋杆连接关节、环肋连接关节和肋框连接关节,其特征在于：折叠式环杆（1）与环杆连接关…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种增强型鳍式绝缘栅高电子迁移率晶体管,主要解决现有增强型器件的阈值电压小,短沟道效应严重的问题。其自下而上包括：衬底（1）、GaN缓冲层（2）、GaN沟道层（3）、AlGaN势垒层（…… 查看详细 >
技术简介： 本成果涉及肉食加工设备技术领域,尤其是涉及一种腊肉熏制装置。目前,熏制食品制作方法大多比较落后,一般都在熏制季节里,城里人在住房附近搭建简易的熏房,把想要熏制的食品放在里面熏烤。该方式…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及半导体技术。本发明解决了现有半导体器件在介质槽相对大间距、小密度情况下无法发挥高K介质作用问题,提供了一种槽栅半导体功率器件,其技术方案可概括为：槽栅半导体功率器件,其在半导…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种阶梯电流阻挡层垂直型功率器件,主要解决现有同类器击穿电压低与导通电阻大的问题,其包括：衬底（1）、漂移层（2）、孔径层（3）、左右两个对称的多级阶梯结构电流阻挡层（4）、…… 查看详细 >
用于相变存储器的Sb2Tey-Si3N4复合相变材料及制备方法
技术简介： 该课题完成了基于中芯国际40nm标准CMOS工艺的PCRAM芯片电路设计、器件结构设计、新型相变材料工程化验证、12英寸整片芯片自动高效无损测试系统搭建、芯片单项纳米加工工艺及其集成技术开发,解决…… 查看详细 >