技术简介： 本发明涉及NbN-Ag硬质薄膜及其制备方法，其特征在于硬质薄膜分子式为NbN-Ag，厚度为1～5μm，Ag含量为0～50at.％且大于0；是以高纯Nb靶和Ag靶为靶材，利用双靶共焦射频反应法在硬质合金或陶瓷基…… 查看详细 >
技术简介： 本文发明公开了一种TiWAlN硬质薄膜及其制备方法，是以高纯Ti靶、W靶、Al靶为靶材，采用双靶共焦射频反应溅射法沉积在硬质合金或陶瓷基体上的，薄膜分子式表示为Ti(W，Al，N)，厚度在1‑3μm；沉…… 查看详细 >
技术简介： 本文发明公开了一种TiWN硬质纳米结构薄膜及制备方法，其特征在于是该薄膜是采用双靶共焦射频反应溅射法沉积在硬质合金或陶瓷基体上的，薄膜分子式表示为Ti(W，N)，厚度在2-3μm。沉积时，真空度…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了NbVN硬质纳米薄膜及其制备方法，其特征在于薄膜分子式为（Nb,V）N，厚度为1～3μm，V含量为0～50at.%，该薄膜的摩擦系数在室温至700℃范围内随着温度的升高而降低。是利用双靶共焦…… 查看详细 >
技术简介： 本文发明公开了一种TaCN硬质纳米结构薄膜，其特征在是采用双靶共焦射频反应溅射法沉积在硬质合金或陶瓷基体上的，薄膜分子式表示为Ta(C，N)，厚度在1‑3μm。沉积时，真空度优于3.0×10‑3Pa,以…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种WBN硬质纳米结构薄膜及其制备方法，其特征在于该薄膜是利用双靶共焦射频反应溅射法沉积在硬质合金或陶瓷基体上，薄膜分子式为（W,B）N，厚度在1-3um。沉积时,真空度优于3.0×10-…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及Ta-Mo-N复合涂层及其制备方法，Ta-Mo-N复合涂层是采用高纯Ta靶和高纯Mo靶共溅射，与真空室中Ar气和N2混合气体中的N2气反应生成Ta-Mo-N，沉积在金属、硬质合金或陶瓷的基体上形成；该…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种具有高温导电性能的复合氧化物涂层及其制备方法，所述涂层是在金属基体表面沉积厚度为5～15μm的Co-(35～45)Mn合金涂层，步骤是在预先经过表面处理的金属基体表面上采用高能微…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开一种尖晶石/金属基体复合材料及其制备方法，是在惰性气体保护下，运用高能微弧合金工艺将MnCu合金电极材料沉积在金属基材表面，经高温氧化后得CuyMn3‑yO4高温耐蚀导电涂层，MnCu合金…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种不锈钢氢渗透阻挡复合膜及其制备方法。该复合膜包括不锈钢基体和位于该基体上的CrAlMoN复合膜，其中，所述CrAlMoN复合膜各组分按重量百分比为Cr0.4％～1.2％，Al3.5％～9.5％，…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种TaVN复合涂层，其特征在于是在氮气与氩气的混合气体氛围下，以金属、硬质合金或陶瓷为基体，采用高纯Ta靶和高纯V靶共溅射，V元素的原子百分比为0～46.7at%且大于0，先在基片上沉…… 查看详细 >
技术简介： 铌-钒-硅-氮纳米硬质薄膜及制备方法，所述薄膜采用双靶共焦射频反应溅射法沉积在硬质合金或陶瓷基体上制备得到，以Nb为过渡层，薄膜中Si相对含量(Si/(Nb+V+Si))在10-13at.％，V相对含量(V/(Nb+V…… 查看详细 >