技术简介： 摘要：本发明公开了生长在玻璃衬底上的LED外延片，包括生长在玻璃衬底上的铝金属层，生长在铝金属层上的银金属层，生长在银金属层上的AlN缓冲层，生长在AlN缓冲层上的GaN缓冲层，生长在GaN缓冲…… 查看详细 >
一种基于表面等离子体效应的宽带高效GaN基LED芯片及其制备方法
技术简介： 摘要：本发明公开了一种基于表面等离子体效应的宽带高效GaN基LED芯片及其制备方法。该宽带高效GaN基LED芯片为倒装结构，由下至上依次包括衬底、缓冲层、非故意掺杂GaN层、n‑GaN层、量子阱层、…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本实用新型公开了一种具有梯度组分和厚度应力释放层的发光二极管结构；该发光二极管结构自下而上依次为蓝宝石衬底、GaN成核层、非故意掺杂GaN层、N型GaN导电层、应力释放层、InGaN/GaN多…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本实用新型公开了一种弧形六角星锥图形化LED衬底，衬底的图案由排列在衬底表面的多个形状相同的弧形六角星锥组成；所述弧形六角星锥的任意水平截面皆为弧形六角星；所述弧形六角星为由六…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本实用新型属于纳米柱LED制备的技术领域，公开了生长在铝酸锶钽镧衬底上的纳米柱LED。所述生长在铝酸锶钽镧衬底上的纳米柱LED包括铝酸锶钽镧衬底，生长在铝酸锶钽镧衬底上的AlN成核层，生…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本实用新型属于纳米阵列的多量子阱的技术领域，公开了生长在铝酸锶钽镧衬底上的InGaN/GaN纳米柱多量子阱。生长在铝酸锶钽镧衬底上的InGaN/GaN纳米柱多量子阱，包括生长在La0.3Sr1.7AlTaO6…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本实用新型公开了生长在W衬底上的LED外延片，包括生长在W衬底上的AlN缓冲层，生长在AlN缓冲层上的非掺杂GaN层，生长在非掺杂GaN层上的n型掺杂GaN薄膜，生长在n型掺杂GaN薄膜上的InGaN/GaN…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种带自清洗功能的脱模设备及方法，包括脱模平台模块、传送模块、清洗模块及计算机，所述脱模平台模块由上模结构、下模结构及脱模承重台构成，所述下模结构包括下模固定板、…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明属于光电器件领域，公开了一种CdTe纳米晶异质结太阳电池及其制备方法。该CdTe纳米晶异质结太阳电池，由玻璃衬底、阴极、阴极界面层、窗口层、光活性层、阳极依次层叠构成。阴极界面…… 查看详细 >
一种具有非晶态缓冲层结构的In0.3Ga0.7As电池及制备方法
技术简介： 摘要：本发明公开了一种具有非晶态缓冲层结构的In0.3Ga0.7As电池，由下至上依次包括非晶态缓冲层、太阳电池层；所述非晶态缓冲层组分为InxGa1-xAs，0.4≤X≤0.8；所述非晶态缓冲层的厚度为1-5nm…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种具有叠层有源层的薄膜晶体管及其制备方法。所述具有叠层有源层的薄膜晶体管由至少两组子有源层依次叠设沉积构成有源层，子有源层包括一层导体/半导体层和一层绝缘层，绝…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：一种薄膜晶体管、阵列基板及其制备方法和显示装置。该薄膜晶体管制备方法包括在基板上形成薄膜晶体管的栅极、栅极绝缘层、有源层和源漏电极，其中，所述有源层使用金属氧化物薄膜制备，并…… 查看详细 >