技术简介： 本发明公开了一种表面等离激元增强的超导单光子探测器及其制备方法。该超导单光子探测器在基于氮化铌的超导单光子探测器的纳米线区表面布置有金纳米颗粒。其制备方法包括将含有十二烷基硫醇-金…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种基于六氮五铌薄膜的室温红外检测器，包括硅衬底，所述硅衬底上的二氧化硅层，所述二氧化硅层上的六氮五铌薄膜热敏层，以及所述六氮五铌薄膜热敏层两端与外部电路相连的金属薄膜…… 查看详细 >
技术简介： 带隙渐变硅量子点多层膜的太阳电池，包括p型硅衬底，p型硅衬底上设有渐变厚度的多层非晶硅/碳化硅膜结构，渐变厚度的非晶硅/碳化硅指硅量子点/碳化硅多层膜结构，由p型硅衬底、碳化硅本征层即i…… 查看详细 >
技术简介： 太阳能电池，在衬底上设有电极和太阳能电池薄膜，太阳能电池的上表面设有电极，所述薄膜型太阳能电池含有块状或条状拼接的两或三组分薄膜材料，其构成是InTaO4/InVO4、InNbO4/InVO4或InNbO4/InV…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种红外量子阱光电探测器的吸收结构，属于亚波长光子学中光学器件领域。该吸收结构用于耦合入射电磁波到量子阱活性区域，包括上金属层、中间半导体层和下金属层，其中，上金属层为…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种极化增强的p-i-n结InGaN太阳电池，其结构由下至上依次为：衬底、GaN层、全应变弛豫高In组分InyGa1-yN层、InGaN超晶格层、高In组分n-InyGa1-yN层、高In组分i-InxGa1-xN层、高In…… 查看详细 >
技术简介： 基于SOI快闪存储器结构的NMOSFET光敏可控器件，包括p型半导体衬底，设有衬底接触电极，衬底上设有n型重掺杂源区和漏区，衬底上依次为隧穿氧化层、电荷存储层层、阻挡氧化层和控制栅。工作在电信…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种用于三原色光电探测的径向结叠层结构，在竖直硅纳米线表面覆盖生长多层不同掺杂类型的非晶硅，形成两层由内而外的PIN结构；并在两层结构之间淀积一层ITO透明导电膜以探测内外两…… 查看详细 >
技术简介： 基于二维层状薄膜材料p‑g‑n异质结光电子器件，所述的光伏探测器包括在基底上设有自下到上的结构衬底绝缘层，所述绝缘层包括二氧化硅、PMMA等柔性绝缘衬底；p‑型二维层状薄膜材料薄膜层，所述…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种异质结倍增层增强型AlGaN日盲雪崩光电二极管，其结构从下至上依次为AlN模板层、AlxGa1‑xN缓冲层、n型AlxGa1‑xN层、i型AlyGa1‑yN吸收层、n型AlyGa1‑yN分离层、i型AlyGa1‑yN…… 查看详细 >
技术简介： 一种基于层状材料p‑i‑n异质结的雪崩探测器，所述的雪崩探测器包括在基底上设有自下到上的结构衬底绝缘层，所述绝缘层包括二氧化硅、PMMA等柔性绝缘衬底；p‑i‑n异质结，所述p‑i‑n异质结包…… 查看详细 >
技术简介： PN结薄膜晶体管非挥发光电探测器，探测器结构包括硅(Si)衬底(1)，衬底正上方为一层绝缘介质称为体绝缘层(2)，体绝缘层正上方为掺杂不同的半导体薄膜层形成P型源极(3)和N型漏极(4)，在源极漏极分…… 查看详细 >