技术简介： 摘要：本发明公开了双有源层结构氧化锌基薄膜晶体管，由下至上依次包括衬底、栅极、栅绝缘介质层、第一氧化锌基半导体有源层、第二氧化锌基半导体有源层、源极和漏极；栅极于衬底上形成，栅绝缘…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了具有调制碳掺杂氮化镓高阻层的HEMT结构及其制备方法。该HEMT结构自下而上依次包括衬底、GaN成核层、GaN缓冲层、GaNC/GaN超晶格高阻层和AlGaN势垒层；其中高阻层由多层GaNC故…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种VDMOS晶体管及制备方法，属于半导体领域，包括第一导电类型衬底、第一导电类型外延层、位于外延层内的第二导电类型注入区和第一导电类型的高掺杂源区、栅极结构，所述栅…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明属于显示器件技术领域，公开了一种双层有源层结构的薄膜晶体管及其制备方法。所述薄膜晶体管由依次层叠的衬底、栅极、栅极绝缘层、有源层和源/漏电极构成；所述有源层由一层绝缘体…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开一种基于非晶氧化物半导体材料的薄膜晶体管及其制备方法。该薄膜晶体管由下至上依次包括衬底、栅极、栅极绝缘层、有源层、源漏电极和钝化层；所述的有源层是以非晶氧化物SiSnO…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种纳米线GaN高电子迁移率晶体管，由下至上依次包括衬底、GaN薄膜、AlGaN纳米线、绝缘层薄膜；所述AlGaN纳米线的上方设有源极和漏极；所述绝缘层薄膜的上方设有栅极。本发明…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了生长在Si衬底上的InN纳米柱外延片，由下至上依次包括Si衬底、In金属纳米微球层和InN纳米柱层。所述In金属纳米微球层中的In金属纳米微球的直径为20‑70nm。所述InN纳米柱层中I…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了显示面板及显示装置，显示面板包括反射电极层；微腔结构层，形成在第一电极层远离衬底一侧，包括第一微腔结构，第二微腔结构，以及第三微腔结构；第一微腔结构用于透过红光，…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本实用新型公开了一种防过热CSP荧光膜片模压装置。该装置包括架（12）、压模装置（13）、测力装置（14）、控制装置（15）和进给装置（16）；所述压模装置（13）包括上压模、上夹具（3）、…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种用于纯电动汽车的高压差DCDC芯片散热总成，包括由上至下依次设置在电路板上的散热风扇、上散热片、下散热片，所述DCDC芯片夹于上散热片、下散热片之间，所述上散热片、下…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本实用新型公开了一种LED封装基板和透镜同时上料装置，包括同时上料料盒、用于输送同时上料料盒的纵向和垂直方向料盒运动机构、推进机构，所述纵向和垂直方向料盒运动机构包括用于支托并…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了生长在铝酸镁钪衬底上的GaN薄膜，包括依次生长在ScMgAlO4衬底上的GaN缓冲层，GaN形核层，GaN非晶层以及GaN薄膜。所述ScMgAlO4衬底以(0001)面偏(11‑20)面0.5～1°为外延面。本…… 查看详细 >