技术简介： 本发明涉及一种铜铟镓硒太阳能电池装置，包括依次层叠设置的衬底、背电极层、铜铟镓硒光吸收层、缓冲层、阻挡层及导电窗口层，其中，导电窗口层为n型的石墨烯薄膜。石墨烯薄膜作为CIGS太阳能电…… 查看详细 >
技术简介： 一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池组件，包括依次叠合的衬底、背电极层、光吸收层、缓冲层、窗口层、透明电极层和金属栅电极层，所述光吸收层的禁带宽度在厚度方向上呈中间平、两侧逐渐升高的梯形分布…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种铜铟镓硒薄膜光伏电池装置及其制备方法。该铜铟镓硒薄膜光伏电池装置包括依次层叠设置的衬底、背电极层、铜铟镓硒光吸收层、缓冲层、阻挡层、导电窗口层及栅电极，其中，所述栅电…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明为硫硅半导体合金叠层太阳能电池的制作方法，解决在SF6气氛中激光掺硫形成黑硅，半导体非晶硅薄膜层硫元素的掺入量低且不稳定，在厚度到微米量级的非晶层中掺入5×1018-1020/cm3生长…… 查看详细 >
BiFeO3/CH3NH3PbI3异质结构铁电光伏薄膜及其制备方法
技术简介： 摘要：本发明公开了一种BiFeO3/CH3NH3PbI3异质结构铁电光伏薄膜及其制备方法。BiFeO3/CH3NH3PbI3复合薄膜中BiFeO3为R3c群菱方钙钛矿结构，CH3NH3PbI3为I4cm群的四方钙钛矿结构，且BiFeO3与CH3NH…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种X8R型Ba1‑xBixTiO3@(Nb2O5‑Co3O4)细晶陶瓷电容器介质材料及其制备方法，其化学组成通式满足Ba1‑xBixTiO3+n(aNb2O5+bCo3O4)，其中，0.002 查看详细 >
技术简介： 摘要：一种绝缘栅半导体器件(30)，包括栅极(34)、源极端子(36)、漏极端子(38)和栅极处的可变输入电容。该器件导通时的输入电容(Cfiss)和该器件截止时的输入电容(Ciiss)之间的比值小于2，并且优…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种新型共栅共源多漏极的碳纳米管导电沟道场效应晶体管结构，包括位于最底端的衬底，该衬底是呈现P型导电性的硅单晶片，同时作为背栅电极；衬底上是已知厚度和介电常数的绝…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种CNx场发射阴极的制作方法，该方法选择钛片作为基底，利用悬浊液静置沉降法在基底上形成含有CNx的胶膜，通过HFCVD热处理在基底与CNx颗粒之间键合生成TiC过渡层。其制作方…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种在Si(100)衬底上制备不同晶相择优生长InN的方法，包括采用磁控溅射法在Si(100)衬底上进行(100)晶相InN、(002)晶相InN及(101)晶相InN的生长；所述的(100)晶相InN为三棱柱…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明提供了一种具有双层纳米碳涂层的场发射阴极及制备方法，首先将纳米金刚石通过电泳沉积的方法涂覆在基底上，形成纳米金刚石涂层；然后将纳米碳管通过电泳沉积的方法涂覆在纳米金刚石…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明涉及一种以钛酸钡为主相的场致发射阴极及其制备方法，制备过程先后采用了溶胶‑凝胶法和水热法。具体包括采用以乙酸钡和钛酸丁酯为主要原料的溶胶‑凝胶法在硅片上制备钛酸钡籽晶，…… 查看详细 >