一种具有非晶态缓冲层结构的In0.3Ga0.7As电池及制备方法
技术简介： 摘要：本发明公开了一种具有非晶态缓冲层结构的In0.3Ga0.7As电池，由下至上依次包括非晶态缓冲层、太阳电池层；所述非晶态缓冲层组分为InxGa1-xAs，0.4≤X≤0.8；所述非晶态缓冲层的厚度为1-5nm…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种具有叠层有源层的薄膜晶体管及其制备方法。所述具有叠层有源层的薄膜晶体管由至少两组子有源层依次叠设沉积构成有源层，子有源层包括一层导体/半导体层和一层绝缘层，绝…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：一种薄膜晶体管、阵列基板及其制备方法和显示装置。该薄膜晶体管制备方法包括在基板上形成薄膜晶体管的栅极、栅极绝缘层、有源层和源漏电极，其中，所述有源层使用金属氧化物薄膜制备，并…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了双有源层结构氧化锌基薄膜晶体管，由下至上依次包括衬底、栅极、栅绝缘介质层、第一氧化锌基半导体有源层、第二氧化锌基半导体有源层、源极和漏极；栅极于衬底上形成，栅绝缘…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了具有调制碳掺杂氮化镓高阻层的HEMT结构及其制备方法。该HEMT结构自下而上依次包括衬底、GaN成核层、GaN缓冲层、GaNC/GaN超晶格高阻层和AlGaN势垒层；其中高阻层由多层GaNC故…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种VDMOS晶体管及制备方法，属于半导体领域，包括第一导电类型衬底、第一导电类型外延层、位于外延层内的第二导电类型注入区和第一导电类型的高掺杂源区、栅极结构，所述栅…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明属于显示器件技术领域，公开了一种双层有源层结构的薄膜晶体管及其制备方法。所述薄膜晶体管由依次层叠的衬底、栅极、栅极绝缘层、有源层和源/漏电极构成；所述有源层由一层绝缘体…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开一种基于非晶氧化物半导体材料的薄膜晶体管及其制备方法。该薄膜晶体管由下至上依次包括衬底、栅极、栅极绝缘层、有源层、源漏电极和钝化层；所述的有源层是以非晶氧化物SiSnO…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种纳米线GaN高电子迁移率晶体管，由下至上依次包括衬底、GaN薄膜、AlGaN纳米线、绝缘层薄膜；所述AlGaN纳米线的上方设有源极和漏极；所述绝缘层薄膜的上方设有栅极。本发明…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了生长在Si衬底上的InN纳米柱外延片，由下至上依次包括Si衬底、In金属纳米微球层和InN纳米柱层。所述In金属纳米微球层中的In金属纳米微球的直径为20‑70nm。所述InN纳米柱层中I…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了显示面板及显示装置，显示面板包括反射电极层；微腔结构层，形成在第一电极层远离衬底一侧，包括第一微腔结构，第二微腔结构，以及第三微腔结构；第一微腔结构用于透过红光，…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本实用新型公开了一种防过热CSP荧光膜片模压装置。该装置包括架（12）、压模装置（13）、测力装置（14）、控制装置（15）和进给装置（16）；所述压模装置（13）包括上压模、上夹具（3）、…… 查看详细 >